G18P03S

G18P03S Goford Semiconductor


G18P03S.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-15A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 15 V
на замовлення 3964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.36 грн
10+47.48 грн
100+31.07 грн
500+22.56 грн
1000+20.42 грн
2000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G18P03S Goford Semiconductor

P-CH,-30V,-15A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.1V to -2.5V,SOP-8.

Інші пропозиції G18P03S за ціною від 16.80 грн до 16.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G18P03S Виробник : GOFORD Semiconductor G18P03S.pdf P-CH,-30V,-15A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.1V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S G18P03S Виробник : Goford Semiconductor G18P03S.pdf Description: P-30V,-15A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.