
G1K1P06HH Goford Semiconductor

Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 25.40 грн |
16+ | 19.27 грн |
100+ | 11.55 грн |
500+ | 10.04 грн |
1000+ | 6.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G1K1P06HH Goford Semiconductor
P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223.
Інші пропозиції G1K1P06HH за ціною від 6.82 грн до 6.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
G1K1P06HH | Виробник : GOFORD Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
G1K1P06HH | Виробник : Goford Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |