G1K1P06HH Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.74 грн |
| 16+ | 18.76 грн |
| 100+ | 11.25 грн |
| 500+ | 9.78 грн |
| 1000+ | 6.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G1K1P06HH Goford Semiconductor
P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223.
Інші пропозиції G1K1P06HH за ціною від 7.90 грн до 7.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G1K1P06HH | GOFORD Semiconductor |
P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G1K1P06HH |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223
P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 7.90 грн |