G1K3N10G Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.11 грн |
| 10+ | 91.74 грн |
| 100+ | 73.01 грн |
| 500+ | 57.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G1K3N10G Goford Semiconductor
Description: N100V, 5A,RD.
Інші пропозиції G1K3N10G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
G1K3N10G | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |