Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G2002A
G2002A

G2002A Goford Semiconductor

GOFORD-G2002A.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.99 грн
15000+ 5.32 грн
30000+ 4.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G2002A Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V.

Інші пропозиції G2002A за ціною від 5.84 грн до 24.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G2002A G2002A Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G2002A.pdf Description: N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.49 грн
16+ 18.31 грн
100+ 11 грн
500+ 9.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
G2002A Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G2002A.pdf N-CH,200V,2A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-6L
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7 грн
15000+ 6.46 грн
30000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G2002A G2002A Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G2002A.pdf Description: N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
товар відсутній