Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G200N06TH
G200N06TH

G200N06TH Goford Semiconductor

G200N06TH.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,55A,60W,TO-220
Packaging: Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G200N06TH Goford Semiconductor

Description: MOSFET,N-CH,60V,55A,60W,TO-220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції G200N06TH за ціною від 48.25 грн до 79.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G200N06TH G200N06TH Виробник : Goford Semiconductor G200N06TH.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,55A,60W,TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.98 грн
10+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.