G200P04S2 Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.42 грн |
| 10+ | 61.08 грн |
| 100+ | 46.82 грн |
| 500+ | 34.74 грн |
| 1000+ | 27.79 грн |
| 2000+ | 25.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G200P04S2 Goford Semiconductor
Dual P-CH,-40V,-9A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOP-8.
Інші пропозиції G200P04S2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| G200P04S2 | Виробник : GOFORD Semiconductor |
Dual P-CH,-40V,-9A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOP-8 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
|
|
G200P04S2 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
товару немає в наявності |