G2012 Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G2012 Goford Semiconductor

Інші пропозиції G2012 за ціною від 11.85 грн до 33.47 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	G2012	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V	на замовлення 5994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 10+ 33.47 грн 12+ 27.83 грн 100+ 20.80 грн 500+ 15.34 грн 1000+ 11.85 грн Мінімальне замовлення: 10 купити В кошику  од. на суму  грн.
	G2012	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.
	G2012	Виробник : Heyco	Bumpers / Feet RGB 187-375-4 BLK .375X.125	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.