Продукція > HEYCO > G2014
G2014

G2014 Heyco

GOFORD-G2014.pdf Виробник: Heyco
Bumpers / Feet RGB 188-338-6 BLK .338X.17
на замовлення 19004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.29 грн
28+12.76 грн
1000+9.36 грн
2000+8.00 грн
25000+4.15 грн
50000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G2014 Heyco

Bumpers / Feet RGB 188-338-6 BLK .338X.17.

Інші пропозиції G2014 за ціною від 7.91 грн до 31.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G2014 G2014 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G2014.pdf Description: N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.83 грн
12+26.73 грн
100+18.55 грн
500+13.59 грн
1000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G2014 Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G2014.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2014 G2014 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G2014.pdf Description: N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.