Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G20N03D2
G20N03D2

G20N03D2 Goford Semiconductor

GOFORD-G20N03D2.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9A DFN2*2-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G20N03D2 Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 9A DFN2*2-6L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DFN (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 30 V.

Інші пропозиції G20N03D2 за ціною від 6.54 грн до 25.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G20N03D2 G20N03D2 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G20N03D2.pdf Description: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G20N03D2 G20N03D2 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G20N03D2.pdf Description: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 30 V
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.93 грн
15+ 19.56 грн
100+ 11.7 грн
500+ 10.17 грн
1000+ 6.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
G20N03D2 Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G20N03D2.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000