G20N03D2 Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 30 V
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.37 грн |
| 14+ | 22.72 грн |
| 100+ | 14.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G20N03D2 Goford Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.
Інші пропозиції G20N03D2 за ціною від 6.85 грн до 6.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G20N03D2 | Виробник : GOFORD Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
G20N03D2 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |