G20N06D52 Goford Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.70 грн |
| 10+ | 50.31 грн |
| 50+ | 37.20 грн |
| 100+ | 30.93 грн |
| 500+ | 23.95 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G20N06D52 Goford Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 20A; 48W; DFN5x6-8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 20A, Power dissipation: 48W, Case: DFN5x6-8, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 25nC.
Інші пропозиції G20N06D52 за ціною від 20.06 грн до 20.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G20N06D52 | GOFORD Semiconductor |
 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G20N06D52 |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 20.06 грн |