G20P06K

G20P06K Goford Semiconductor


GOFORD-G20P06K.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V, -20A,RD<45M@-10V,VTH-2V~-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
FET Feature: Standard
на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.66 грн
10+ 37.46 грн
100+ 25.93 грн
500+ 20.34 грн
1000+ 17.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G20P06K Goford Semiconductor

P-CH,-60V,-20A,RD(max) Less Than 45mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.5V, TO-252.

Інші пропозиції G20P06K за ціною від 14.16 грн до 14.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G20P06K Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G20P06K.pdf P-CH,-60V,-20A,RD(max) Less Than 45mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G20P06K G20P06K Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G20P06K.pdf Description: P-60V, -20A,RD<45M@-10V,VTH-2V~-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
FET Feature: Standard
товар відсутній