G220P02D2 Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-8A,RD(MAX)<25M@-4.5V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	6.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G220P02D2 Goford Semiconductor

Інші пропозиції G220P02D2 за ціною від 7.43 грн до 26.59 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	G220P02D2	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P-20V,-8A,RD(MAX)<25M@-4.5V,VTH- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 10 V	на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 3000+ 7.47 грн Мінімальне замовлення: 3000 купити
	G220P02D2	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P-20V,-8A,RD(MAX)<25M@-4.5V,VTH- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 10 V	на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 11+ 26.59 грн 14+  20.69 грн 100+  14.08 грн 500+  9.91 грн 1000+  7.43 грн Мінімальне замовлення: 11 купити