G230P06T Goford Semiconductor


G230P06T.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4499 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.44 грн
50+56.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G230P06T Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 60A TO-220, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V.

Інші пропозиції G230P06T за ціною від 34.32 грн до 34.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G230P06T GOFORD Semiconductor G230P06T.pdf P-CH,-60V,-60A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,VTH -2.0V to -4.0V ,TO-220
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T G230P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-60A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,VTH -2.0V to -4.0V ,TO-220
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
413+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.