G2312 Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.47 грн |
| 19+ | 16.48 грн |
| 100+ | 10.35 грн |
| 500+ | 7.21 грн |
| 1000+ | 6.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G2312 Goford Semiconductor
Mounting Fixings RGBA 19-39-50 BLACK.
Інші пропозиції G2312
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
G2312 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
 |
G2312 | Виробник : Heyco |
Mounting Fixings RGBA 19-39-50 BLACK |
товару немає в наявності |