G2312 Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 23.96 грн |
| 22+ | 14.14 грн |
| 100+ | 8.85 грн |
| 500+ | 6.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G2312 Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 5A; 1.25W; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 5A, Power dissipation: 1.25W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±12V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 10.5nC, Technology: Trench.
Інші пропозиції G2312 за ціною від 3.51 грн до 50.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G2312 | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 5A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 10.5nC Technology: Trench |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| G2312 |
|
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
Technology: Trench
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
Technology: Trench
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 50.77 грн |
| 13+ | 34.24 грн |
| 25+ | 18.33 грн |
| 100+ | 7.91 грн |
| 500+ | 4.76 грн |
| 1000+ | 4.09 грн |
| 3000+ | 3.51 грн |