G250N03IE

G250N03IE Goford Semiconductor


G250N03IE.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 15 V
на замовлення 2033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
22+13.99 грн
100+8.75 грн
500+6.07 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G250N03IE Goford Semiconductor

N30V,ESD 5.3A,RD Less Than 25mOhm at 10V,VTH 0.5V to 1.3V, SOT-23.

Інші пропозиції G250N03IE за ціною від 3.16 грн до 3.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G250N03IE Виробник : GOFORD Semiconductor G250N03IE.pdf N30V,ESD 5.3A,RD Less Than 25mOhm at 10V,VTH 0.5V to 1.3V, SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3847+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE Виробник : Goford Semiconductor G250N03IE.pdf Description: N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.