Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G250N03IE
G250N03IE

G250N03IE Goford Semiconductor

GOFORD-G250N03IE.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 30V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.59 грн
15000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G250N03IE Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH ESD 30V 5.3A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±10V.

Інші пропозиції G250N03IE за ціною від 3.03 грн до 23.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G250N03IE G250N03IE Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G250N03IE.pdf Description: N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 15 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.77 грн
18+ 16.09 грн
100+ 8.12 грн
500+ 6.21 грн
1000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
G250N03IE Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G250N03IE.pdf N30V,ESD 5.3A,RD Less Than 25mOhm at 10V,VTH 0.5V to 1.3V, SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3847+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3847
G250N03IE G250N03IE Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G250N03IE.pdf Description: N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 15 V
товар відсутній