G26P04K Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V

на замовлення 2500 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Підписка на надходження

Кількість	Ціна
2500+	21.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G26P04K Goford Semiconductor

Інші пропозиції G26P04K за ціною від 21.16 грн до 54.89 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	G26P04K	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT)	на замовлення 5279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Кількість Ціна 6+ 54.89 грн 10+ 46.44 грн 100+ 35.65 грн 500+ 26.45 грн 1000+ 21.16 грн Мінімальне замовлення: 6 купити В кошику  од. на суму  грн.