G29 Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 15V 4.1A SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.32 грн |
| 15000+ | 2.93 грн |
| 30000+ | 2.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G29 Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 15V 4.1A SOT-23, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції G29 за ціною від 4.41 грн до 25.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G29 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
G29 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V |
на замовлення 3549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|