Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G2R1000MT17D
G2R1000MT17D

G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor

g2r1000mt17d.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+261.13 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G2R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції G2R1000MT17D за ціною від 240.91 грн до 596.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G2R1000MT17D G2R1000MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.57 грн
10+342.58 грн
25+327.11 грн
100+287.17 грн
250+274.63 грн
500+265.39 грн
1000+251.95 грн
2500+240.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D-3478308.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.31 грн
10+362.04 грн
30+275.28 грн
120+270.89 грн
270+267.23 грн
510+262.84 грн
1020+262.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+596.59 грн
25+570.96 грн
50+549.21 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR 3189232.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.