Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G2R1000MT17J-TR

G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor

Name: G2R1000MT17J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 34663912-3
Price: 456.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V

на замовлення 589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	456.00 грн
10+	393.77 грн
25+	376.68 грн
100+	342.24 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor

Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції G2R1000MT17J-TR

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
G2R1000MT17J-TR	Виробник : GeneSiC Semiconductor	1700V 1000m TO-263-7 G2R SiC MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
G2R1000MT17J-TR	Виробник : GeneSiC Semiconductor	1700V 1000m TO-263-7 G2R SiC MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
G2R1000MT17J-TR	Виробник : GeneSiC Semiconductor	Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
G2R1000MT17J-TR	Виробник : GeneSiC Semiconductor	SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.