G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 996+ | 304.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: G2R Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції G2R1000MT17J за ціною від 274.83 грн до 534.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G2R1000MT17J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
G2R1000MT17J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
G2R1000MT17J | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7 Mounting: SMD Technology: G2R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 54W Drain-source voltage: 1.7kV Kind of package: tube Case: TO263-7 Kind of channel: enhancement |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
G2R1000MT17J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET |
на замовлення 3414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
G2R1000MT17J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V |
на замовлення 11455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
G2R1000MT17J | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G2R Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
G2R1000MT17J | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7 Mounting: SMD Technology: G2R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 54W Drain-source voltage: 1.7kV Kind of package: tube Case: TO263-7 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 183 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
G2R1000MT17J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 3810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| G2R1000MT17J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
G2R1000MT17J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
G2R1000MT17J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
товару немає в наявності |