Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G2R1000MT17J
G2R1000MT17J

G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor

g2r1000mt17j.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
996+286.76 грн
Мінімальне замовлення: 996
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: G2R Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G2R1000MT17J за ціною від 299.58 грн до 521.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
950+307.25 грн
Мінімальне замовлення: 950
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+350.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.26 грн
3+358.44 грн
7+349.00 грн
10+335.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J-3478629.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+486.85 грн
10+429.56 грн
25+354.66 грн
100+335.04 грн
250+320.71 грн
500+310.14 грн
1000+299.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 11455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.95 грн
10+421.56 грн
25+403.30 грн
100+354.49 грн
250+339.41 грн
500+328.44 грн
1000+312.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+499.49 грн
26+478.03 грн
50+459.81 грн
100+428.35 грн
250+384.59 грн
500+359.16 грн
1000+350.38 грн
2500+342.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GENESIC 3189238.pdf Description: GENESIC - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+519.76 грн
5+492.67 грн
10+465.58 грн
50+414.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.11 грн
3+446.67 грн
7+418.81 грн
10+402.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+504.63 грн
27+456.03 грн
29+435.65 грн
100+390.92 грн
250+338.37 грн
500+311.91 грн
1000+301.01 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.