Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G2R1000MT17J
G2R1000MT17J

G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor

g2r1000mt17j.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
996+296.41 грн
Мінімальне замовлення: 996
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: G2R Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G2R1000MT17J за ціною від 311.14 грн до 558.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
950+317.59 грн
Мінімальне замовлення: 950
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+362.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.15 грн
10+449.24 грн
25+364.60 грн
100+350.39 грн
250+335.40 грн
500+324.35 грн
1000+313.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 11455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.35 грн
10+440.87 грн
25+421.78 грн
100+370.73 грн
250+354.96 грн
500+343.48 грн
1000+326.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+516.30 грн
26+494.12 грн
50+475.29 грн
100+442.77 грн
250+397.53 грн
500+371.25 грн
1000+362.17 грн
2500+354.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GENESIC 3189238.pdf Description: GENESIC - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+543.57 грн
5+515.24 грн
10+486.91 грн
50+433.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+521.61 грн
27+471.38 грн
29+450.31 грн
100+404.07 грн
250+349.76 грн
500+322.41 грн
1000+311.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J.pdf G2R1000MT17J SMD N channel transistors
на замовлення 187 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.80 грн
3+467.59 грн
7+441.94 грн
100+441.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.