Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G2R1000MT33J
G2R1000MT33J

G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor

g2r1000mt33j.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1127.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції G2R1000MT33J за ціною від 933.32 грн до 1590.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G2R1000MT33J G2R1000MT33J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1185.42 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1301.91 грн
100+1233.39 грн
250+1185.42 грн
500+1112.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1315.06 грн
100+1265.51 грн
250+1225.13 грн
500+1164.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1334.46 грн
11+1252.32 грн
25+1198.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J Виробник : GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1356.28 грн
10+1181.16 грн
25+1134.28 грн
100+1001.54 грн
250+962.18 грн
500+933.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J Виробник : GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J-2449477.pdf MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1407.32 грн
10+1253.92 грн
25+1046.64 грн
100+985.56 грн
250+946.00 грн
500+943.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1429.78 грн
10+1341.77 грн
25+1284.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J Виробник : GENESIC 3189229.pdf Description: GENESIC - G2R1000MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1437.28 грн
5+1368.45 грн
10+1298.82 грн
50+1157.92 грн
100+1006.39 грн
250+1000.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1590.56 грн
10+1439.81 грн
25+1356.73 грн
100+1255.41 грн
250+1118.06 грн
500+990.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.