
G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
400+ | 1045.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції G2R1000MT33J за ціною від 940.52 грн до 1510.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
G2R1000MT33J | Виробник : GENESIC |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G2R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |