G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 1285.07 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
50 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції G2R1000MT33J за ціною від 948.49 грн до 1813.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 3103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET |
на замовлення 2581 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
G2R1000MT33J | GENESIC |
Description: GENESIC - G2R1000MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 74W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G2R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| G2R1000MT33J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 1351.48 грн |
| G2R1000MT33J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1378.32 грн |
| 10+ | 1200.35 грн |
| 25+ | 1152.71 грн |
| 100+ | 1017.81 грн |
| 250+ | 977.81 грн |
| 500+ | 948.49 грн |
| G2R1000MT33J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 1399.32 грн |
| 100+ | 1346.59 грн |
| 250+ | 1303.63 грн |
| 500+ | 1239.18 грн |
| G2R1000MT33J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 1484.28 грн |
| 100+ | 1406.16 грн |
| 250+ | 1351.48 грн |
| 500+ | 1268.37 грн |
| G2R1000MT33J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1521.39 грн |
| 10+ | 1427.74 грн |
| 25+ | 1366.42 грн |
| G2R1000MT33J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1521.39 грн |
| 11+ | 1427.74 грн |
| 25+ | 1366.42 грн |
| G2R1000MT33J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1525.53 грн |
| 10+ | 1359.25 грн |
| 25+ | 1134.56 грн |
| 100+ | 1068.35 грн |
| 250+ | 1025.47 грн |
| 500+ | 1023.21 грн |
| G2R1000MT33J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1813.36 грн |
| 10+ | 1641.50 грн |
| 25+ | 1546.78 грн |
| 100+ | 1431.27 грн |
| 250+ | 1274.68 грн |
| 500+ | 1129.11 грн |
| G2R1000MT33J |
|
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G2R1000MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
Description: GENESIC - G2R1000MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)