Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G2R120MT33J
G2R120MT33J

G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor

sic-mosfet-selector-guide.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8346.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - G2R120MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 402W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: G2R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G2R120MT33J за ціною від 8087.85 грн до 8845.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G2R120MT33J G2R120MT33J Виробник : GENESIC 3189227.pdf Description: GENESIC - G2R120MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 402W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8727.53 грн
5+8484.59 грн
10+8240.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J Виробник : GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J-2449933.pdf MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8845.10 грн
10+8087.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf 3300V 120mΩ TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J Виробник : GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf G2R120MT33J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.