G2SB60-E3/51 Vishay General Semiconductor
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.34 грн |
| 10+ | 69.80 грн |
| 100+ | 44.03 грн |
| 400+ | 37.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G2SB60-E3/51 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 1.5 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції G2SB60-E3/51
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
G2SB60-E3/51 | Виробник : Vishay |
 Rectifier Bridge Diode Single 600V 1.5A 4-Pin Case GBL Bulk |
товару немає в наявності |
|
 |
G2SB60-E3/51 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 1.5 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |