Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G300P06D3

G300P06D3 Goford Semiconductor

Name: G300P06D3
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 68175786-3
Price: 46410.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G300P06D3 Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 8-DFN (3x3), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції G300P06D3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	G300P06D3	Виробник : Goford Semiconductor	Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-DFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.