Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G300P06S
G300P06S

G300P06S Goford Semiconductor

GOFORD-G300P06S.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
на замовлення 3533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.55 грн
10+ 31.22 грн
100+ 21.61 грн
500+ 16.95 грн
1000+ 14.42 грн
2000+ 12.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G300P06S Goford Semiconductor

Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX).

Інші пропозиції G300P06S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G300P06S G300P06S Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G300P06S.pdf Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
товар відсутній