G300P06T Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2736 pF @ 30 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.88 грн |
| 10+ | 58.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G300P06T Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2736 pF @ 30 V.
Інші пропозиції G300P06T за ціною від 23.79 грн до 23.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G300P06T | Виробник : GOFORD Semiconductor |
P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-220 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|