G3035 Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.30 грн |
| 22+ | 14.34 грн |
| 50+ | 10.27 грн |
| 100+ | 8.41 грн |
| 500+ | 6.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3035 Goford Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.6A; 1.4W; SOT23, Power dissipation: 1.4W, Gate charge: 13nC, Polarisation: unipolar, Technology: Trench, Drain current: -4.6A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -30V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: SOT23, Mounting: SMD.
Інші пропозиції G3035 за ціною від 3.11 грн до 3.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G3035 | GOFORD Semiconductor |
P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G3035 |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23
P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3847+ | 3.68 грн |
| 15000+ | 3.39 грн |
| 30000+ | 3.11 грн |