G3035 Goford Semiconductor


G3035.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.97 грн
22+14.15 грн
100+8.85 грн
500+6.15 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3035 Goford Semiconductor

P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23.

Інші пропозиції G3035 за ціною від 3.10 грн до 3.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3035 GOFORD Semiconductor G3035.pdf P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.67 грн
15000+3.39 грн
30000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3847+3.67 грн
15000+3.39 грн
30000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.