Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G3035L
G3035L

G3035L Goford Semiconductor

GOFORD-G3035L.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.18 грн
15000+ 2.8 грн
30000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3035L Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT-23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V.

Інші пропозиції G3035L за ціною від 3.04 грн до 27.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G3035L G3035L Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G3035L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.44 грн
15+ 18.85 грн
100+ 9.49 грн
500+ 7.27 грн
1000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
G3035L Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G3035L.pdf P-CH -30V -4.1A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3192+3.67 грн
15000+ 3.35 грн
30000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3192
G3035L G3035L Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G3035L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товар відсутній