G30N03D3 Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.25 грн |
| 10+ | 32.48 грн |
| 100+ | 20.98 грн |
| 500+ | 15.04 грн |
| 1000+ | 13.54 грн |
| 2000+ | 12.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G30N03D3 Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 42A; 25W; DFN3x3-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 42A, Power dissipation: 25W, Case: DFN3x3-8, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 13nC, Kind of channel: enhancement, Technology: Trench.
Інші пропозиції G30N03D3 за ціною від 8.88 грн до 10.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G30N03D3 | Виробник : GOFORD Semiconductor |
N-CH 30V 30A 7mOhm/MAX at 10V, 12mOhm/MAX at 5V DFN3x3 |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
|
G30N03D3 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
| G30N03D3 | Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 42A; 25W; DFN3x3-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Power dissipation: 25W Case: DFN3x3-8 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Technology: Trench |
товару немає в наявності |