G30N03D3 Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.35 грн |
| 10+ | 31.94 грн |
| 100+ | 20.63 грн |
| 500+ | 14.79 грн |
| 1000+ | 13.31 грн |
| 2000+ | 12.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G30N03D3 Goford Semiconductor
N-CH 30V 30A 7mOhm/MAX at 10V, 12mOhm/MAX at 5V DFN3x3.
Інші пропозиції G30N03D3 за ціною від 9.69 грн до 11.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G30N03D3 | GOFORD Semiconductor |
N-CH 30V 30A 7mOhm/MAX at 10V, 12mOhm/MAX at 5V DFN3x3 |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G30N03D3 |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 30A 7mOhm/MAX at 10V, 12mOhm/MAX at 5V DFN3x3
N-CH 30V 30A 7mOhm/MAX at 10V, 12mOhm/MAX at 5V DFN3x3
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 11.67 грн |
| 15000+ | 10.73 грн |
| 30000+ | 9.69 грн |