G30N03D3 Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	8.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G30N03D3 Goford Semiconductor

Інші пропозиції G30N03D3 за ціною від 8.03 грн до 38.28 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	G30N03D3	Виробник : GOFORD Semiconductor	N-CH 30V 30A 7mOhm/MAX at 10V, 12mOhm/MAX at 5V DFN3x3	на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 5000+ 9.67 грн 15000+  8.89 грн 30000+  8.03 грн Мінімальне замовлення: 5000 купити
	G30N03D3	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 24W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 15 V	на замовлення 14920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 8+ 38.28 грн 10+  31.5 грн 100+  21.91 грн 500+  16.06 грн 1000+  13.05 грн 2000+  11.67 грн Мінімальне замовлення: 8 купити
	G30N03D3	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 24W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 15 V	товар відсутній	купити