G33N03D3

G33N03D3 Goford Semiconductor


G33N03D3.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.15 грн
15000+10.77 грн
30000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G33N03D3 Goford Semiconductor

Description: N30V,RD(MAX).

Інші пропозиції G33N03D3 за ціною від 21.46 грн до 62.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G33N03D3 G33N03D3 Виробник : Goford Semiconductor G33N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3 Виробник : Goford Semiconductor G33N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 107329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.79 грн
10+52.17 грн
100+36.11 грн
500+28.32 грн
1000+24.10 грн
2000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.