G33N03D52 Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 14.81 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G33N03D52 Goford Semiconductor
Description: N30V, 33A,RD.
Інші пропозиції G33N03D52 за ціною від 17.64 грн до 51.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G33N03D52 | Goford Semiconductor |
Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DFN5*6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5*6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V |
на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G33N03D52 |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.73 грн |
| 10+ | 42.87 грн |
| 100+ | 29.67 грн |
| 500+ | 23.27 грн |
| 1000+ | 19.80 грн |
| 2000+ | 17.64 грн |