G3416 Goford Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.74 грн |
| 15000+ | 2.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3416 Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 748 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції G3416 за ціною від 6.63 грн до 25.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3416 | Goford Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 748 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V |
на замовлення 2833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| G3416 | GOFORD Semiconductor |
G3416 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| G3416 |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Description: MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.87 грн |
| 20+ | 15.17 грн |
| 50+ | 10.93 грн |
| 100+ | 8.95 грн |
| 500+ | 6.63 грн |
| G3416 |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
G3416
G3416
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)