Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G3416
G3416

G3416 Goford Semiconductor

G3416.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.52 грн
22+13.74 грн
100+8.60 грн
500+5.98 грн
1000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3416 Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 748 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції G3416

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3416 G3416 Виробник : Goford Semiconductor G3416.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.