Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G350P02LLE
G350P02LLE

G350P02LLE Goford Semiconductor

GOFORD-G350P02LLE.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1126 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.45 грн
15000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G350P02LLE Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, FET Feature: Standard, Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1126 pF @ 10 V.

Інші пропозиції G350P02LLE за ціною від 4.40 грн до 4.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G350P02LLE Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G350P02LLE.pdf P-CH -20V -4.5A 35mOhm/MAX at -4.5V,45mOhm/MAX at -2.5V SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G350P02LLE Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR GOFORD-G350P02LLE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.5A; 1.4W; SOT23-6
Mounting: SMD
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 17.2nC
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±10V
Case: SOT23-6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.