G35N02K Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V

на замовлення 2500 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	13.34 грн

Мінімальне замовлення: 2500

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G35N02K Goford Semiconductor

Інші пропозиції G35N02K за ціною від 13.22 грн до 37.40 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	G35N02K	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V	на замовлення 3754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 9+ 37.40 грн 10+ 31.11 грн 100+ 23.20 грн 500+ 17.11 грн 1000+ 13.22 грн Мінімальне замовлення: 9 купити В кошику  од. на суму  грн.