G35N02S Goford Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.19 грн |
| 13+ | 23.32 грн |
| 50+ | 16.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G35N02S Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 12A; 2.6W; SOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 12A, Power dissipation: 2.6W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±12V, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of channel: enhancement, Technology: Trench.
Інші пропозиції G35N02S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
G35N02S | Goford Semiconductor |
Description: MOSFET,N-CH,20V,12A,2.6W,SOP-8 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
G35N02S | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 12A; 2.6W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 12A Power dissipation: 2.6W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Technology: Trench |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| G35N02S |
![]() |
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,20V,12A,2.6W,SOP-8
Description: MOSFET,N-CH,20V,12A,2.6W,SOP-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| G35N02S |
![]() |
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 12A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 12A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




