G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11619.69 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - G3F09MT12FB2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 109 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: 238W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: SiCPAK F Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.
Інші пропозиції G3F09MT12FB2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
G3F09MT12FB2 | GENESIC |
Description: GENESIC - G3F09MT12FB2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 109 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 238W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: SiCPAK F Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| G3F09MT12FB2 |
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3F09MT12FB2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 109 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: SiCPAK F Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
Description: GENESIC - G3F09MT12FB2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 109 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: SiCPAK F Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)