Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3F09MT12GB4
G3F09MT12GB4

G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor

G3F09MT12GB4.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - G3F09MT12GB4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, Verlustleistung: 216W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 34Pin(s), Produktpalette: SiCPAK G Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.

Інші пропозиції G3F09MT12GB4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4 GENESIC G3F09MT12GB4.pdf Description: GENESIC - G3F09MT12GB4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 216W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: SiCPAK G Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3F09MT12GB4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 216W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: SiCPAK G Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.