
G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 553.09 грн |
10+ | 478.35 грн |
25+ | 458.51 грн |
100+ | 404.13 грн |
250+ | 386.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V, Power Dissipation (Max): 128W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ), Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V.
Інші пропозиції G3R160MT12J за ціною від 379.16 грн до 643.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
G3R160MT12J | Виробник : GENESIC |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
G3R160MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
G3R160MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
G3R160MT12J | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |