Продукція > GENESIC > G3R160MT12J
G3R160MT12J

G3R160MT12J GENESIC

3189237.pdf Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R160MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+545.62 грн
5+517.82 грн
10+490.02 грн
50+423.55 грн
100+366.40 грн
250+352.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R160MT12J GENESIC

Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V, Power Dissipation (Max): 128W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ), Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V.

Інші пропозиції G3R160MT12J за ціною від 407.34 грн до 677.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R160MT12J G3R160MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+582.27 грн
10+503.58 грн
25+482.70 грн
100+425.45 грн
250+407.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J-2449111.pdf MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+677.68 грн
10+601.20 грн
25+501.10 грн
100+469.34 грн
250+449.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.