G3R160MT12J GENESIC
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R160MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 516.40 грн |
| 5+ | 490.09 грн |
| 10+ | 463.78 грн |
| 50+ | 400.87 грн |
| 100+ | 346.77 грн |
| 250+ | 334.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R160MT12J GENESIC
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ), Power Dissipation (Max): 128W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції G3R160MT12J за ціною від 385.52 грн до 616.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R160MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +20V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ) Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
G3R160MT12J | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| G3R160MT12J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 551.09 грн |
| 10+ | 476.61 грн |
| 25+ | 456.85 грн |
| 100+ | 402.67 грн |
| 250+ | 385.52 грн |
| G3R160MT12J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 616.72 грн |
| 10+ | 547.12 грн |
| 25+ | 456.02 грн |
| 100+ | 427.12 грн |
| 250+ | 409.50 грн |