Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R160MT17J
G3R160MT17J

G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor

g3r160mt17j.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+947.15 грн
10+856.66 грн
25+818.44 грн
100+739.10 грн
250+653.27 грн
500+603.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції G3R160MT17J за ціною від 650.35 грн до 1651.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R160MT17J G3R160MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1020.00 грн
14+922.56 грн
25+881.40 грн
100+795.96 грн
250+703.52 грн
500+650.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1035.10 грн
10+924.72 грн
25+773.20 грн
100+728.32 грн
250+699.63 грн
500+679.03 грн
1000+672.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1651.09 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf G3R160MT17J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.