G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2018.04 грн |
| 10+ | 1808.83 грн |
| 25+ | 1513.53 грн |
| 100+ | 1442.43 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W, Mounting: SMD, Gate-source voltage: -5...15V, Kind of package: tube, Case: TO263-7, On-state resistance: 30mΩ, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 459W, Gate charge: 155nC, Polarisation: unipolar, Technology: G3R™; SiC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 68A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET.
Інші пропозиції G3R30MT12J за ціною від 2765.12 грн до 3650.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G3R30MT12J | GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G3R30MT12J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 3650.82 грн |
| 5+ | 3539.50 грн |
| 10+ | 3320.83 грн |
| 20+ | 3000.92 грн |
| 50+ | 2819.13 грн |
| 100+ | 2765.12 грн |