Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R30MT12J
G3R30MT12J

G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor

G3R30MT12J-2450019.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W, Mounting: SMD, Gate-source voltage: -5...15V, Kind of package: tube, Case: TO263-7, On-state resistance: 30mΩ, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 459W, Gate charge: 155nC, Polarisation: unipolar, Technology: G3R™; SiC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 68A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET.

Інші пропозиції G3R30MT12J за ціною від 2734.60 грн до 3610.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor g3r30mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3610.53 грн
5+3500.43 грн
10+3284.17 грн
20+2967.80 грн
50+2788.02 грн
100+2734.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J g3r30mt12j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+3610.53 грн
5+3500.43 грн
10+3284.17 грн
20+2967.80 грн
50+2788.02 грн
100+2734.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.