Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R350MT12J
G3R350MT12J

G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor

g3r350mt12j.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+298.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V.

Інші пропозиції G3R350MT12J за ціною від 228.56 грн до 450.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R350MT12J G3R350MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+321.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.14 грн
3+297.13 грн
9+295.55 грн
10+283.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+375.83 грн
10+349.41 грн
25+336.01 грн
100+305.61 грн
250+262.36 грн
500+228.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.17 грн
3+370.26 грн
9+354.66 грн
10+340.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+404.74 грн
33+376.29 грн
34+361.86 грн
100+329.12 грн
250+282.54 грн
500+246.15 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J-2449378.pdf MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.75 грн
10+396.58 грн
25+329.01 грн
100+307.12 грн
250+293.54 грн
500+283.73 грн
1000+273.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J Виробник : GENESIC G3R350MT12J.pdf Description: GENESIC - G3R350MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.