Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R350MT12J
G3R350MT12J

G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor

g3r350mt12j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+374.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - G3R350MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G3R350MT12J за ціною від 266.06 грн до 472.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+374.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J-2449378.pdf MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+437.81 грн
10+385.20 грн
25+319.56 грн
100+298.31 грн
250+285.12 грн
500+275.59 грн
1000+266.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.23 грн
10+439.02 грн
25+422.19 грн
100+383.99 грн
250+329.64 грн
500+287.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+472.23 грн
33+439.02 грн
34+422.19 грн
100+383.99 грн
250+329.64 грн
500+287.18 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GENESIC G3R350MT12J.pdf Description: GENESIC - G3R350MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+374.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J-2449378.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+437.81 грн
10+385.20 грн
25+319.56 грн
100+298.31 грн
250+285.12 грн
500+275.59 грн
1000+266.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+472.23 грн
10+439.02 грн
25+422.19 грн
100+383.99 грн
250+329.64 грн
500+287.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+472.23 грн
33+439.02 грн
34+422.19 грн
100+383.99 грн
250+329.64 грн
500+287.18 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R350MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.