G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 318.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V.
Інші пропозиції G3R350MT12J за ціною від 244.37 грн до 535.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G3R350MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R350MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R350MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R350MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R350MT12J | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R350MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| G3R350MT12J | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R350MT12J SMD N channel transistors |
на замовлення 889 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| G3R350MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
G3R350MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
G3R350MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |