Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R40MT12J
G3R40MT12J

G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor

g3r40mt12j.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1152.59 грн
100+1077.81 грн
250+1027.96 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V, Power Dissipation (Max): 374W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA (Typ), Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V.

Інші пропозиції G3R40MT12J за ціною від 925.53 грн до 1880.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R40MT12J G3R40MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1241.25 грн
100+1160.72 грн
250+1107.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 374W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1364.02 грн
10+1185.83 грн
25+1138.31 грн
100+1004.50 грн
250+964.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1415.32 грн
10+1260.77 грн
12+1106.22 грн
200+925.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J Виробник : GENESIC 3189223.pdf Description: GENESIC - G3R40MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 374W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1415.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J-3479423.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 964 шт:
термін постачання 225-234 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1465.11 грн
10+1303.74 грн
25+1088.81 грн
100+1024.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+1880.73 грн
10+1823.33 грн
20+1710.99 грн
50+1546.67 грн
100+1453.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 53A; Idm: 140A; 374W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 374W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 53A; Idm: 140A; 374W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 374W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.