Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R40MT12J
G3R40MT12J

G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor

G3R40MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1398.09 грн
10+1176.67 грн
25+982.14 грн
100+962.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - G3R40MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 374W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G3R40MT12J за ціною від 967.42 грн до 2199.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1451.68 грн
100+1357.51 грн
250+1294.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1451.68 грн
100+1357.51 грн
250+1294.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1655.26 грн
10+1474.52 грн
12+1293.77 грн
200+1082.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1665.10 грн
50+967.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2199.58 грн
10+2132.45 грн
20+2001.06 грн
50+1808.89 грн
100+1700.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GENESIC 3189223.pdf Description: GENESIC - G3R40MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 374W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1451.68 грн
100+1357.51 грн
250+1294.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1451.68 грн
100+1357.51 грн
250+1294.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1655.26 грн
10+1474.52 грн
12+1293.77 грн
200+1082.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1665.10 грн
50+967.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2199.58 грн
10+2132.45 грн
20+2001.06 грн
50+1808.89 грн
100+1700.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J 3189223.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R40MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 374W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.