Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R450MT17D
G3R450MT17D

G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor

G3R450MT17D.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.45 грн
10+483.35 грн
25+463.21 грн
100+408.11 грн
250+391.31 грн
500+378.71 грн
1000+360.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції G3R450MT17D за ціною від 377.30 грн до 635.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+593.12 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D-2449192.pdf MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+607.74 грн
10+538.35 грн
30+448.72 грн
120+419.99 грн
270+402.91 грн
510+389.72 грн
1020+377.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+635.49 грн
10+548.70 грн
30+515.57 грн
120+477.03 грн
270+424.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17D.pdf G3R450MT17D THT N channel transistors
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+634.35 грн
3+438.63 грн
8+414.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.