Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R450MT17D
G3R450MT17D

G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR

G3R450MT17D.pdf Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Gate-source voltage: -5...15V
Drain current: 6A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 88W
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+398.44 грн
10+346.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції G3R450MT17D за ціною від 334.60 грн до 662.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Gate-source voltage: -5...15V
Drain current: 6A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 88W
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.13 грн
10+431.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.90 грн
10+448.25 грн
25+429.58 грн
100+378.48 грн
250+362.90 грн
500+351.21 грн
1000+334.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D-2449192.pdf MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+541.93 грн
10+480.05 грн
30+400.13 грн
120+374.52 грн
270+359.29 грн
510+347.52 грн
1020+336.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+618.36 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+662.53 грн
10+572.05 грн
30+537.51 грн
120+497.33 грн
270+442.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.