Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R450MT17D
G3R450MT17D

G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E680C7&compId=G3R450MT17D.pdf?ci_sign=623c2d7bc68ab7ce63fe93b60466746ffbe3ca5f Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 88W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.02 грн
3+357.18 грн
8+338.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції G3R450MT17D за ціною від 354.92 грн до 632.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+549.35 грн
10+475.47 грн
25+455.66 грн
100+401.46 грн
250+384.93 грн
500+372.54 грн
1000+354.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E680C7&compId=G3R450MT17D.pdf?ci_sign=623c2d7bc68ab7ce63fe93b60466746ffbe3ca5f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 88W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+588.03 грн
3+445.10 грн
8+405.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+590.32 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D-2449192.pdf MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+597.83 грн
10+529.57 грн
30+441.40 грн
120+413.15 грн
270+396.35 грн
510+383.36 грн
1020+371.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+632.49 грн
10+546.11 грн
30+513.13 грн
120+474.77 грн
270+422.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.