G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Gate-source voltage: -5...15V
Drain current: 6A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 88W
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 393.98 грн |
| 10+ | 342.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції G3R450MT17D за ціною від 367.62 грн до 647.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Gate-source voltage: -5...15V Drain current: 6A Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.45Ω Power dissipation: 88W Pulsed drain current: 16A Technology: G3R™; SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V |
на замовлення 2521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 3133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |