Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R450MT17J
G3R450MT17J

G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E7C0C7&compId=G3R450MT17J.pdf?ci_sign=fb6f69167c3c5663eef111d5bcd6739f8e8e0312 Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V, Power Dissipation (Max): 91W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції G3R450MT17J за ціною від 402.70 грн до 741.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R450MT17J G3R450MT17J Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E7C0C7&compId=G3R450MT17J.pdf?ci_sign=fb6f69167c3c5663eef111d5bcd6739f8e8e0312 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617.09 грн
10+536.08 грн
25+514.62 грн
100+453.81 грн
250+435.78 грн
500+421.90 грн
1000+402.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J-2449670.pdf MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.27 грн
10+658.67 грн
25+549.85 грн
100+516.24 грн
250+495.62 грн
500+481.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.