G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2171.45 грн |
| 10+ | 1918.05 грн |
| 25+ | 1853.56 грн |
| 100+ | 1651.35 грн |
| 250+ | 1595.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 438W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 438W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції G3R45MT17D за ціною від 1821.77 грн до 2687.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R45MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1700V 45mO TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 600 шт: термін постачання 116-125 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R45MT17D | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 438W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 438W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| G3R45MT17D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R45MT17D THT N channel transistors |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| G3R45MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| G3R45MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| G3R45MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| G3R45MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| G3R45MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |