G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2200.42 грн |
| 10+ | 1944.31 грн |
| 25+ | 1878.99 грн |
| 100+ | 1674.38 грн |
| 250+ | 1617.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 438W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції G3R45MT17K за ціною від 1615.25 грн до 5935.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
G3R45MT17K | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 43A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 438W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 182nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
на замовлення 217 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
G3R45MT17K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
G3R45MT17K | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 438W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| G3R45MT17K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| G3R45MT17K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| G3R45MT17K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| G3R45MT17K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| G3R45MT17K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |

