Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R45MT17K
G3R45MT17K

G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor

G3R45MT17K.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2169.87 грн
10+1917.32 грн
25+1852.91 грн
100+1651.14 грн
250+1595.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 438W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G3R45MT17K за ціною від 1784.11 грн до 5988.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2237.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K GENESIC 3189220.pdf Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1784.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2686.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2686.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+5988.77 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2237.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K 3189220.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1784.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2686.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2686.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+5988.77 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.