Інші пропозиції G3R60MT07D за ціною від 485.65 грн до 794.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R60MT07D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V |
на замовлення 2868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R60MT07D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 2829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R60MT07D | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 171W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R60MT07D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
G3R60MT07D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |