Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > G3R60MT07D

G3R60MT07D

G3R60MT07D.pdf
Код товару: 197744
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції G3R60MT07D за ціною від 481.20 грн до 1093.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R60MT07D G3R60MT07D Navitas Semiconductor, Inc. G3R60MT07D.pdf Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1093.39 грн
30+645.24 грн
60+596.77 грн
120+521.79 грн
510+481.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GENESIC 3967296.pdf Description: GENESIC - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 171W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D.pdf
G3R60MT07D
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1093.39 грн
30+645.24 грн
60+596.77 грн
120+521.79 грн
510+481.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D 3967296.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 171W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.