G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 755.69 грн |
| 10+ | 677.62 грн |
| 25+ | 566.68 грн |
| 100+ | 534.96 грн |
| 250+ | 515.23 грн |
| 500+ | 497.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V.
Інші пропозиції G3R60MT07J за ціною від 773.90 грн до 773.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G3R60MT07J | GeneSiC Semiconductor |
 Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V |
на замовлення 1348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G3R60MT07J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 773.90 грн |