Продукція > GENESIC > G3R60MT07J
G3R60MT07J

G3R60MT07J GENESIC

3967292.pdf Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R60MT07J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+795.00 грн
5+759.02 грн
10+723.04 грн
50+594.23 грн
100+518.42 грн
250+498.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R60MT07J GENESIC

Description: GENESIC - G3R60MT07J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: G3R Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції G3R60MT07J за ціною від 569.70 грн до 885.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R60MT07J G3R60MT07J Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+885.61 грн
10+793.92 грн
25+664.40 грн
100+626.98 грн
250+604.07 грн
500+586.50 грн
1000+569.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+806.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf 750V 60m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.