G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 723.41 грн |
| 10+ | 627.96 грн |
| 30+ | 514.63 грн |
| 120+ | 490.89 грн |
| 270+ | 481.11 грн |
| 510+ | 467.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V.
Інші пропозиції G3R60MT07K за ціною від 520.73 грн до 782.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R60MT07K | GeneSiC Semiconductor |
 Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G3R60MT07K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 782.42 грн |
| 10+ | 683.62 грн |
| 25+ | 658.28 грн |
| 100+ | 583.09 грн |
| 250+ | 560.67 грн |
| 500+ | 545.04 грн |
| 1000+ | 520.73 грн |