G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 804.28 грн |
| 10+ | 698.15 грн |
| 30+ | 572.15 грн |
| 120+ | 545.76 грн |
| 270+ | 534.89 грн |
| 510+ | 519.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V.
Інші пропозиції G3R60MT07K за ціною від 556.67 грн до 836.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R60MT07K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R60MT07K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| G3R60MT07K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
G3R60MT07K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |