G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 369.75 грн |
| 100+ | 369.09 грн |
| 250+ | 368.52 грн |
| 500+ | 351.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 224W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V.
Інші пропозиції G3R75MT12J за ціною від 348.67 грн до 869.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 224W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
| G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 80A; 224W Mounting: SMD On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Drain current: 30A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 224W Drain-source voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 54nC Kind of package: tube Case: TO263-7 |
товару немає в наявності |